一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑，由下列重量份的原料制成：壬基酚聚氧乙烯醚2-3、脂肪醇聚氧乙烯醚3-4、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉1-2、三聚磷酸鈉2-3、十二烷基酚聚氧乙烯醚5-6、十二烷基苯磺酸鈉2-3、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120。本發(fā)明的清洗劑主要使用非離子等多種表面活性劑，與水形成乳液，對(duì)黑蠟、石蠟、松香、脂類(lèi)等有優(yōu)異的溶解能力，對(duì)無(wú)機(jī)物顆粒、金屬離子等也具有優(yōu)異的清洗能力；該清洗劑無(wú)毒無(wú)腐蝕性,不污染環(huán)境,并可降低清洗成本。本發(fā)明的助劑能夠在電路板表面形成保護(hù)膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕電路板，抗氧化，方便下一步制作工藝進(jìn)行。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑及
其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及清洗劑領(lǐng)域，尤其涉及一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]硅片清洗劑廣泛應(yīng)用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)有所污染，表面潔凈度不是很高，對(duì)即將進(jìn)行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響，所以首先要對(duì)硅片表面進(jìn)行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機(jī)沾污，然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葸M(jìn)”，會(huì)引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時(shí)使硅片的表面鈍化。
[0003]目前多數(shù)娃片清洗劑米用RAC清洗中的一號(hào)液和三號(hào)液,但是一號(hào)液顯堿性,可能會(huì)造成硅表面粗糙，要嚴(yán)格控制溫度、濃度和時(shí)間；三號(hào)液顯酸性，有強(qiáng)腐蝕性，對(duì)人體健康也不利，生產(chǎn)成本高，有刺激性氣味，污染環(huán)境，因此需要進(jìn)一步改進(jìn)配方，以達(dá)到清潔徹底、無(wú)污染、腐蝕小、對(duì)人體健康、電路安全、降低成本的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑及其制備方法，該清洗劑具有清潔徹底、清潔速度快的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下: 一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑，其特征在于由下列重量份的原料制成:壬基酚聚氧乙烯醚2-3、脂肪醇聚氧乙烯醚3-4、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉1-2、三聚磷酸鈉2-3、十二烷基酚聚氧乙烯醚5-6、十二烷基苯磺酸鈉2-3、乙醇30-40、助劑4_5、去離子水100-120 ；
所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
[0006]所述去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉、三聚磷酸鈉、十二烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸鈉、乙醇混合，在1000-1200轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢柘?，?-8°C /分的速率加熱到60-70°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
[0007]本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明的清洗劑主要使用非離子等多種表面活性劑，與水形成乳液，對(duì)黑蠟、石蠟、松香、脂類(lèi)等有優(yōu)異的溶解能力，對(duì)無(wú)機(jī)物顆粒、金屬離子等也具有優(yōu)異的清洗能力，清洗效果好；該清洗劑無(wú)毒無(wú)腐蝕性，不污染環(huán)境，并可降低清洗成本。本發(fā)明的助劑能夠在電路板表面形成保護(hù)膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕電路板，抗氧化，方便下一步制作工藝進(jìn)行。
【具體實(shí)施方式】
[0008]一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑，由下列重量份(公斤)的原料制成:壬基酚聚氧乙烯醚2.5、脂肪醇聚氧乙烯醚3.5、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉1.5、三聚磷酸鈉2.5、十二烷基酚聚氧乙烯醚6、十二烷基苯磺酸鈉2.5、乙醇36、助劑4.5、去離子水110 ；
所述助劑由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2.5、抗氧劑1035
1.5、植酸1.5、嗎啉3.5、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3.5、乙醇14 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至65°C，攪拌25分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至84°C，攪拌34分鐘，即得。[0009]所述去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑的制備方法，包括以下步驟:將去離子水、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉、三聚磷酸鈉、十二烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸鈉、乙醇混合，在1100轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢柘?，?V /分的速率加熱到65°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌17分鐘，即得。
[0010]該去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑用于清洗硅片，洗凈率為99.3%，對(duì)洗凈硅片表面不會(huì)殘留不溶物，不產(chǎn)生新污染，不影響產(chǎn)品的質(zhì)量，洗凈后的硅片表面干凈，色澤一致，無(wú)花斑。
【權(quán)利要求】
1.一種去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑，其特征在于由下列重量份的原料制成:壬基酚聚氧乙烯醚2-3、脂肪醇聚氧乙烯醚3-4、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉1-2、三聚磷酸鈉2-3、十二烷基酚聚氧乙烯醚5-6、十二烷基苯磺酸鈉2-3、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120 ； 所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述去除黑蠟、松香和石蠟混合物的半導(dǎo)體硅片清洗劑的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基醇酰胺磷酸脂鈉、三聚磷酸鈉、十二烷基酚聚氧乙烯醚、十二烷基苯磺酸鈉、乙醇混合，在1000-1200轉(zhuǎn)/分?jǐn)嚢柘?，?-8°C /分的速率加熱到60_70°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
【文檔編號(hào)】C11D3/065GK103589525SQ201310527795
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日
【發(fā)明者】郭萬(wàn)東, 孟祥法, 董培才 申請(qǐng)人:合肥中南光電有限公司