本技術(shù)涉及一種用于分析驗證顱腦增強磁共振成像序列特點的體膜。

背景技術(shù)：

1、磁共振成像(mri)相較與臨床其他常用影像學(xué)成像方式具有多序列、多參數(shù)成像特點，在神經(jīng)影像中扮演著重要角色。顱腦磁共振在評價腦卒中、腫瘤病變及類腫瘤樣病變具有得天獨厚的優(yōu)勢，對明確疾病診斷及鑒別診斷提供有力的影像學(xué)證據(jù)。此外，顱腦mri平掃及增強序列用來評估及表征腫瘤患者顱內(nèi)及腦膜轉(zhuǎn)移現(xiàn)已被臨床常規(guī)使用。增強mri需要注射外源性釓對比劑從而增加病灶與正常腦實質(zhì)或腦膜的對比達到明確診斷的目的，而對于具有不同成像特點的mri序列而言，不同的釓劑濃度對其產(chǎn)生的增強效應(yīng)也不近相同。綜其背后是mri多參數(shù)的復(fù)雜性，就上述特點無論是放射科醫(yī)生還是臨床腫瘤科醫(yī)生如完全理解掌握其理論基礎(chǔ)及成像特點可助力顱腦平掃及增強mri的使用，然而就mri成像原理而言具有抽象的特點，使得相關(guān)人員在理解各個序列特點上具有較大挑戰(zhàn)。因此需要提供一種體外模型來分析驗證顱腦平掃及增強mri常用序列的成像特點。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的是提供一種用于分析驗證顱腦增強磁共振成像序列特點的體膜，能夠分析驗證顱腦mri不同序列在不同釓劑濃度下的成像特點，提高對于顱腦mri不同序列的理解維度。

2、本實用新型涉及的顱腦平掃及增強mri中平掃序列包括：t2?wi、t1?wi、t2flair、dwi、t1?wi(矢狀位)，增強序列常包括：t1?wi+c、3d?t1?bravo、3d?t2cube?flair。

3、本實用新型提供的用于分析驗證顱腦增強磁共振成像序列特點的體膜，包括一支架，其材質(zhì)為塑料；其中：

4、所述支架包括上層支架、中層支架和下層支架；

5、所述上層支架和所述中層支架用于放置若干注射器，所述注射器內(nèi)吸滿具有梯度濃度的釓劑及釓劑原液和生理鹽水；

6、所述注射器的規(guī)格優(yōu)選為5ml；

7、所述下層支架用于放置球形水膜。

8、本實用新型體膜中，所述上層支架和所述中層支架設(shè)置凹形槽，所述注射器設(shè)于所述凹形槽內(nèi)；

9、優(yōu)選地，所述上層支架和所述中層支架上的所述凹形槽之間等間距布置。

10、本實用新型體膜中，所述上層支架上設(shè)置7個所述凹形槽，依次放置吸滿如下原液的注射器：釓劑原液、1/2釓劑原液、1/4釓劑原液、1/8釓劑原液、1/16釓劑原液、1/32釓劑原液、1/64釓劑原液；

11、所述中層支架上設(shè)置6個所述凹形槽，依次放置吸滿如下原液和生理鹽水的注射器：1/128釓劑原液、1/256釓劑原液、1/512釓劑原液、1/1024釓劑原液、1/2048釓劑原液、生理鹽水。

12、本實用新型體膜中，所述凹形槽的半徑為2～3cm。

13、本實用新型體膜中，所述上層支架和所述中層支架均呈長方體形；

14、所述下層支架呈立方體形，其內(nèi)可適形放置球形水膜；

15、優(yōu)選地，所述下層支架的長度為18～20cm，寬度為18～20cm，高度為18～20cm；

16、所述上層支架和所述中層支架的長度與所述下層支架一致，寬度大于所述下層支架5～6cm，高度為3～5cm。

17、本實用新型體膜中，注射器和球形水膜的可重復(fù)拆卸。

18、利用本實用新型體膜驗證不同序列在不同釓劑濃度下成像特點時，可在1.5t?gemri?380掃描平臺進行驗證，與此同時為了進行信號校正，優(yōu)選采用ge?mri掃描設(shè)備的球形水膜。

19、本實用新型體膜具有如下優(yōu)點：

20、1、本實用新型體膜設(shè)計緊湊可滿足磁共振成像“三中心”原則滿足穩(wěn)定獲得磁共振信號的成像特點。

21、2、本實用新型體膜中所利用的上層支架及中層支架的凹槽呈等間距排列同樣可獲取穩(wěn)定磁共振信號。

22、3、上層支架、中層支架及底層支架所放置的具有注射器及球形水膜均可拆卸具有可操作性強的特點。

23、4、由于本實用新型體膜中具有可拆卸放置不同濃度梯度注射器及水膜的特點，其可以被用于驗證分析其他磁共振成型序列在不同濃度低度下成像特點，可用于教學(xué)。

技術(shù)特征：

1.一種用于分析驗證顱腦增強磁共振成像序列特點的體膜，包括一支架；其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體膜，其特征在于：所述上層支架和所述中層支架設(shè)置凹形槽，所述注射器設(shè)于所述凹形槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的體膜，其特征在于：所述上層支架和所述中層支架上的所述凹形槽之間等間距布置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的體膜，其特征在于：所述上層支架上設(shè)置7個所述凹形槽；

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的體膜，其特征在于：所述凹形槽的半徑為2～3cm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的體膜，其特征在于：所述上層支架和所述中層支架均呈長方體形；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的體膜，其特征在于：所述下層支架的長度為18～20cm，寬度為18～20cm，高度為18～20cm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的體膜，其特征在于：所述上層支架和所述中層支架的長度與所述下層支架一致，寬度大于所述下層支架5～6cm，高度為3～5cm。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種用于分析驗證顱腦增強磁共振成像序列特點的體膜。所述體膜包括一支架；支架包括上層支架、中層支架和下層支架；上層支架和中層支架用于放置若干注射器，注射器內(nèi)吸滿梯度濃度的釓劑、釓劑原液和生理鹽水；下層支架用于放置球形水膜；上層支架和中層支架設(shè)置凹形槽，注射器設(shè)于凹形槽內(nèi)；上層支架和中層支架上的凹形槽之間等間距布置。本技術(shù)外模型能夠分析驗證顱腦MRI不同序列在不同釓劑濃度下的成像特點。

技術(shù)研發(fā)人員：王超,劉鳳海,宋彥澄,潘志斌,李國策
受保護的技術(shù)使用者：滄州市中心醫(yī)院
技術(shù)研發(fā)日：20240207
技術(shù)公布日：2025/1/9