專(zhuān)利名稱(chēng)：醫(yī)用植入裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種醫(yī)用植入裝置，其具有用于組織向內(nèi)生長(zhǎng)的多孔表面。
背景技術(shù)：
醫(yī)用植入裝置可通過(guò)使組織向內(nèi)生長(zhǎng)到植入物的多孔表面區(qū)中而錨定在植入部位。例如，US-3855638公開(kāi)了一種矯形關(guān)節(jié)假體構(gòu)件，其包括具有多孔金屬涂層的金屬基底，骨組織可生長(zhǎng)到該多孔金屬涂層中。涂層由金屬顆粒提供，這些金屬顆粒彼此連結(jié)并連結(jié)到基底上以限定分布在整個(gè)涂層上的多個(gè)相 連的間隙孔。EP-A-1997524公開(kāi)了一種矯形關(guān)節(jié)假體構(gòu)件，在其中基底具有由兩層金屬顆粒所提供的多孔表面區(qū)，該兩層金屬顆粒通過(guò)燒結(jié)工藝彼此聯(lián)結(jié)并聯(lián)結(jié)到基底表面上。內(nèi)層包括球形顆粒，而外表面包括非球形顆粒。相比于其表面由球形顆粒所提供的構(gòu)件而言，非球形顆粒層導(dǎo)致構(gòu)件表面的粗糙度增大。由非球形顆粒所提供的表面層的多孔性可朝構(gòu)件表面逐漸地增大，且該層的多孔性在表面處可大于由具有相似尺寸的球形顆粒所形成的層的多孔性。因此，有可能適應(yīng)較大的骨組織向內(nèi)生長(zhǎng)，這在植入時(shí)提供了對(duì)構(gòu)件的更強(qiáng)固定。US-5443510公開(kāi)了一種植入物，在其中通過(guò)將焊料(bead)燒結(jié)到焊接于植入物表面的網(wǎng)格上而產(chǎn)生多孔表面區(qū)。這據(jù)說(shuō)減少了在裝置的基底表面上于燒結(jié)部位處的槽口形成，在該裝置中焊料直接地?zé)Y(jié)到表面上。網(wǎng)格增大了植入物表面區(qū)的厚度。植入物固定的牢固性部分地取決于網(wǎng)格至基底表面的固定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種植入裝置，其具有由凹部而分開(kāi)的峰部(peak)所提供的起伏表面，其中，聯(lián)結(jié)到起伏表面上的顆粒大于峰部之間的間隙。因此，一方面，本發(fā)明提供了一種醫(yī)用植入裝置，其包括具有起伏表面的基底，該起伏表面由凹部而分開(kāi)的峰部所提供，其中，該裝置包括提供在基底起伏表面上的包括多個(gè)顆粒的多孔涂層，其中，在基底表面上的相鄰峰部之間的間距小于顆粒的顆粒尺寸，以及其中，顆粒聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上且相鄰的顆粒彼此聯(lián)結(jié)。另一方面，本發(fā)明提供了一種制作醫(yī)用植入裝置的方法，其包括a.形成基底，該基底具有由凹部而分開(kāi)的峰部所提供的起伏表面，b.將顆粒層施加到基底的所述表面上，其中，基底表面上的相鄰峰部之間的間距小于顆粒的顆粒尺寸，以及c. (i)將顆粒聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上以及(ii)將相鄰的顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上。
顆粒和位于它們之間的峰部和凹部的形狀應(yīng)使得顆粒不能配合到凹部中來(lái)在凹部底部處接觸基底表面。因此，顆粒與基底表面之間的聯(lián)結(jié)形成在與凹部的底部間隔開(kāi)的峰部上(位于峰部頂部上或位于峰部側(cè)面上)。本發(fā)明的植入物具有的優(yōu)點(diǎn)在于，由于顆粒聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上，故減小了槽口產(chǎn)生并經(jīng)由基底擴(kuò)散的趨勢(shì)。在槽口開(kāi)始在峰部中形成于峰部與顆粒之間界面處的情況下，槽口可經(jīng)由峰部擴(kuò)散而遠(yuǎn)至相鄰的凹部。于是，可抑制進(jìn)一步的擴(kuò)散，尤其是經(jīng)由植入物基底主體(bulk)的擴(kuò)散。
作為優(yōu)選，顆粒表面和顆粒所聯(lián)結(jié)的峰部頂部或側(cè)面兩者都為凸出的。當(dāng)通過(guò)燒結(jié)而形成聯(lián)結(jié)時(shí)，相比于基本上為平面(沒(méi)有峰部和凹部陣列)的基底表面，可減小基底表面的變形程度。相信的是，這樣減小表面的變形會(huì)有助于減少在基底中產(chǎn)生槽口。本發(fā)明的裝置認(rèn)為是通過(guò)在基底表面上提供峰部和凹部而提高了抗疲勞破壞能力。具體而言，本發(fā)明的植入物相比于基底不具有本發(fā)明的峰部和凹部特征的裝置而言具有改善疲勞強(qiáng)度的優(yōu)點(diǎn)。作為優(yōu)選，峰部在基底表面上有規(guī)則地間隔開(kāi)。這會(huì)有利于基底的制造。它能有助于確保其尺寸在適合的控制范圍內(nèi)的顆粒接觸基底表面上的峰部且不會(huì)置入峰部之間的凹部中。峰部可包括凸脊，其中，各凸脊的長(zhǎng)度大于其寬度，且其中，凹部包括位于凸脊之間的凹槽。例如，基底表面可由在其間具有凹槽的多個(gè)大致均勻間隔開(kāi)的凸脊提供。在其間具有凹槽的多個(gè)均勻間隔開(kāi)的凸脊可形成為螺旋狀螺紋。凹部可包括凹槽，其中，至少一些峰部、優(yōu)選為所有峰部當(dāng)從表面上方的平面觀察時(shí)由凹槽所包繞。例如，當(dāng)從表面上方觀察時(shí),峰部至少在峰部頂部處可為圓化的,例如圓形的。峰部可具有多個(gè)側(cè)面。例如，峰部可具有至少四個(gè)側(cè)面。當(dāng)凹槽為直的且位于兩個(gè)相交陣列中時(shí)峰部可具有四個(gè)側(cè)面，其中，凹槽的兩個(gè)陣列之間的角為90°時(shí)。當(dāng)?shù)谝魂嚵械陌疾壑g的距離等于第二陣列的凹槽之間的距離時(shí)，峰部將為正方形的。當(dāng)凹槽為直的且處于三個(gè)相交陣列(例如，陣列中的凹槽之間的角為60° )中時(shí)，峰部可具有三個(gè)側(cè)面。作為優(yōu)選，相鄰峰部之間的凹部的底部在截面中觀察時(shí)為圓化的。這可有助于減小在凹部底部處形成裂縫的趨勢(shì)。作為優(yōu)選，圓化的凹部底部部分具有大致恒定的半徑。凹部底部的恒定半徑部分可延伸經(jīng)過(guò)至少大約45°的弧線(xiàn)的角，優(yōu)選為至少大約60°、更優(yōu)選的是至少大約80°，尤其是至少大約100°，例如，至少大約120°或至少大約130°。作為優(yōu)選，凹部底部的恒定半徑部分延伸經(jīng)過(guò)不大于大約175°的弧線(xiàn)的角，例如，不大于大約160°或不大于大約150°。作為優(yōu)選，顆粒的橫向尺寸(當(dāng)其為球形時(shí)將為它們的直徑)與凹部半徑之比為至少大約1.0，更優(yōu)選的是至少大約I. 1，尤其是至少大約I. 2，例如，至少大約1.25。這會(huì)有助于確保顆粒不能配合到凹部中來(lái)在凹部底部處接觸基底表面。作為優(yōu)選，在截面中觀察時(shí)峰部為圓化的。這會(huì)有助于減小在峰部與其所聯(lián)結(jié)的顆粒之間的界面處產(chǎn)生任何裂縫的趨勢(shì)。作為優(yōu)選，圓化的峰部部分具有大致恒定的半徑。凹部底部的恒定半徑部分可延伸經(jīng)過(guò)至少大約45°的弧線(xiàn)的角，優(yōu)選為至少大約60°、更優(yōu)選的是至少大約80°，尤其是至少大約100°，例如，至少大約120°或至少大約130°。作為優(yōu)選，峰部的恒定半徑部分延伸經(jīng)過(guò)不大于大約175°的弧線(xiàn)的角，例如，不大于大約160°或不大于大約150°。作為優(yōu)選，限定圓化的凹部底部的半徑與限定圓化的相鄰峰部的半徑的比例之比為至少大約O. 7，更優(yōu)選的是至少大約O. 8，尤其是至少大約O. 9。作為優(yōu)選，所述比例不大于大約I. 3，更優(yōu)選的是不大于大約I. 2，尤其是不大于大約I. I。
作為優(yōu)選，圓化的相鄰凹部之間的距離與限定凹部底部的半徑之比為至少大約
2.5，更優(yōu)選的是至少大約3. 5。該比值通常將不大于大約6，優(yōu)選的是不大于大約5。作為優(yōu)選，圓化的相鄰峰部之間的距離與限定峰部的半徑之比為至少大約2. 5，更優(yōu)選的是至少大約3. 5。該比值通常將不大于大約6，優(yōu)選的是不大于大約5。作為優(yōu)選，圓化的兩個(gè)峰部的高度(從其間的凹部底部測(cè)得)與限定峰部的半徑之比為至少大約1.0，更優(yōu)選的是至少大約1.2。作為優(yōu)選，該比值不大于大約2.0，更優(yōu)選的是不大于大約I. 6，例如不大于大約I. 4。 作為優(yōu)選，峰部半徑與聯(lián)結(jié)到峰部上的顆粒的尺寸之比不大于大約O. 7，更優(yōu)選的是不大于大約O. 6。作為優(yōu)選，峰部半徑與聯(lián)結(jié)到峰部上的顆粒的尺寸之比為至少大約O. 3，更優(yōu)選的是至少大約O. 4。作為優(yōu)選，峰部的高度(從其間的圓化的凹部底部測(cè)得)與限定凹部的半徑之比為至少大約1.0，更優(yōu)選的是至少大約1.2。作為優(yōu)選，該比值不大于大約2.0，更優(yōu)選的是不大于大約I. 6，例如不大于大約I. 4。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上的顆粒具有大致圓化的形狀，使得它們不具有任何棱邊或角。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上的顆粒大致為球形，以便在將它們聯(lián)結(jié)到基底上的過(guò)程所引起在形狀上的任何變化之前，顆粒中的任何一個(gè)的表面由大致恒定的半徑限定(意思是跨越顆粒測(cè)得的最長(zhǎng)弦長(zhǎng)的變化不大于10% )。在本發(fā)明的裝置中使用的顆粒的尺寸可使用網(wǎng)篩測(cè)定。施加到基底表面上的顆粒可具有單模式顆粒尺寸分布或多模式(例如，雙模式)顆粒尺寸分布。該裝置可將其應(yīng)用于具有第一尺寸分布的第一顆粒層和具有第二尺寸分布的第二顆粒層。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上的顆粒的顆粒尺寸為至少大約50 μ m,更優(yōu)選的是至少大約80 μ m,尤其是至少大約120 μ m,例如至少大約150 μ m。球形顆粒的尺寸通常將不大于大約400 μ m,優(yōu)選的是不大于大約325 μ m,更優(yōu)選的是不大于大約275 μ m,例如不大于大約250 μ m。通常將存在顆粒尺寸的擴(kuò)張；通常將優(yōu)選的是按重量計(jì)有至少85%的顆粒滿(mǎn)足這些尺寸限制。作為優(yōu)選，基底表面上的兩個(gè)相鄰峰部之間的距離為至少大約50 μ m，更優(yōu)選的是至少大約80 μ m,尤其是至少大約120 μ m,例如至少大約150 μ m。作為優(yōu)選,兩個(gè)相鄰峰部之間的距離不大于大約400 μ m,更優(yōu)選的是不大于大約320 μ m,尤其是不大于大約270 μ m,例如不大于大約240 μ m。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的顆粒的尺寸輪廓(profile)使得它們能夠以大致密集陣列而填塞在一起。這通過(guò)最大限度地減小顆粒尺寸的擴(kuò)張而得以促進(jìn)。作為優(yōu)選，基底表面上的峰部能夠配合到聯(lián)結(jié)到其上的顆粒密集陣列中，使得與表面直接接觸的顆粒層大致為密集的。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上的顆粒的顆粒尺寸與兩個(gè)最鄰近的峰部之間的距離之比為至少大約O. 8，更優(yōu)選的至少大約O. 9。作為優(yōu)選，聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上的顆粒的顆粒尺寸與兩個(gè)最鄰近的峰部之間的距離之比不大于大約I. 2，更優(yōu)選的是不大于大約I. I，例如大約I. O。作為優(yōu)選，該裝置包括蓋層，該蓋層覆蓋涂布層且由多個(gè)蓋層顆粒提供，其中，蓋層顆粒聯(lián)結(jié)到涂布層的顆粒上且蓋層的相鄰顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上，且其中，涂布層的顆粒大致為球形而蓋層的顆粒為非球形。非球形顆?？稍谛螤钌蠟閳A化的。作為優(yōu)選，非球形顆粒的形狀為成角的，以便其由角和/或棱邊和/或凹部限定。非球形顆粒的尺寸可使用網(wǎng)篩確定，以便所測(cè)的顆粒尺寸由顆?？山?jīng)由其通過(guò)的篩孔的尺寸限定。一層或多層非球形顆?？墒┘拥綖榍蛐蔚囊粚踊蚨鄬宇w粒的頂部上。作為優(yōu)選，基底表面上的顆粒提供在具有一定總厚度的一層或多層中，其中，總厚度從基底表面上的峰部頂部測(cè)得，為至少大約250 μ m,更優(yōu)選的是至少大約300 μ m,尤其是至少大約500μπι。該厚度可為至少大約800 μ m或至少大約1000 μ m?；妆砻嫔系念w粒層的厚度一般將不大于大約2000 μ m。基底表面，至少朝顆粒提供于其上的表面，通常將由金屬提供。顆粒通常將由金屬 形成。通常將優(yōu)選的是，基底的材料(至少在其表面處)與顆粒的材料大致相同?？捎糜谥踩胙b置的金屬包括鈦及其合金(舉例來(lái)說(shuō)，例如Ti-6A1_4V)、鉭及其合金、諸如通常在制造植入裝置中所使用的不銹鋼，以及鈷和鉻的合金(可選地是具有其它元素，舉例來(lái)說(shuō)，例如鑰)。當(dāng)基底的表面和顆粒兩者都由金屬提供時(shí)，可能優(yōu)選的是通過(guò)燒結(jié)工藝而將顆粒聯(lián)結(jié)到基底和彼此上。顆粒可懸浮在水溶液中的漿料中，該水溶液含有有機(jī)粘合劑，舉例來(lái)說(shuō)，例如甲基纖維素。漿料可保持在模具中，包繞顆粒已施加于其上的基底的表面部分。漿料經(jīng)加熱以除去水。然后，顆粒和基底在惰性氣氛或還原氣氛中受熱以燒盡粘合劑并將顆粒熔合到彼此以及基底上。一種適合的燒結(jié)工藝可涉及·確?；妆砻媲鍧嵑凸饣??！⒂袡C(jī)粘合劑的涂層施加到基底表面上?！⒒捉虢饘兕w粒流化床中2至3秒，同時(shí)攪拌?！な┘舆^(guò)噴涂(或過(guò)噴)的粘合劑涂層?！ぶ貜?fù)浸入和過(guò)噴涂步驟。·除去任何高點(diǎn)；填充任何低點(diǎn)?！じ鶕?jù)需要而重復(fù)涂布、浸入和過(guò)噴涂步驟以逐步形成顆粒的足夠厚度。 將所涂布的產(chǎn)品置于烘箱中。在其中基底由鈦形成且顆粒由鈦形成的植入裝置可在大約1250°C的溫度下充分地?zé)Y(jié)。裝置經(jīng)受高溫的周期長(zhǎng)度將取決于基底的質(zhì)量。該周期對(duì)于顆粒而言必須足夠長(zhǎng)以便牢固地固定到基底上。舉例來(lái)說(shuō)，在髖關(guān)節(jié)假體的髖白殼構(gòu)件的情況下，從100分鐘至大約300分鐘的加熱時(shí)間通常將是適合的。較長(zhǎng)的時(shí)間可適于在其中基底具有較大熱質(zhì)量的制品。用于產(chǎn)生峰部和凹部特征的技術(shù)將取決于基底表面上的特征的形狀和布置。通常將優(yōu)選的是特征由機(jī)械加工過(guò)程形成。呈分開(kāi)相鄰峰部的相對(duì)較長(zhǎng)凹槽形式的凹部的形成可通過(guò)將它們形成為連續(xù)的螺旋狀螺紋而得以促進(jìn)。相對(duì)較長(zhǎng)的凹槽，無(wú)論呈離散的圓形特征或是連續(xù)的螺旋狀螺紋形式，都可使用車(chē)床在具有圓形截面的基底表面上產(chǎn)生。峰部和凹部特征可使用諸如蝕刻技術(shù)之類(lèi)的不同技術(shù)而形成在具有其它形狀且呈其它形式的基底上，例如酸蝕刻或激光蝕刻，或兩者的組合。植入裝置中面對(duì)骨頭的表面可經(jīng)處理以促進(jìn)與骨組織發(fā)生期望的相互作用，例如用以有助于骨組織向內(nèi)生長(zhǎng)。例如，裝置的表面可涂布有羥磷灰石材料。


下文通過(guò)舉例參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中圖I為包括聯(lián)結(jié)到基底表面上的顆粒的髖關(guān)節(jié)假體的股骨構(gòu)件的側(cè)視圖。圖2為圖I中所示的股骨構(gòu)件的表面區(qū)的示意性截面視圖。圖3為由多個(gè)峰部提供其表面的基底的表面的等距視圖，該多個(gè)峰部由凹槽分開(kāi)，其中各峰部均由凹槽所包繞。
具體實(shí)施例方式圖I示出了髖關(guān)節(jié)假體的股骨構(gòu)件，其包括可配合到股骨中已準(zhǔn)備好的髓內(nèi)腔中的莖部2，以及可在假體的中空髖白構(gòu)件中用關(guān)節(jié)接合的頭部4。莖部具有近端的骺部6和遠(yuǎn)端部8。莖部由鈦形成為常規(guī)形狀并使用了在制造矯形關(guān)節(jié)假體中所公知的技術(shù)。莖部4的骺部6包括鈦顆粒層，這些鈦顆粒已通過(guò)燒結(jié)工藝而聯(lián)結(jié)到莖部基底的表面上。盡管圖I示出了本發(fā)明應(yīng)用于髖關(guān)節(jié)假體的股骨構(gòu)件，但本發(fā)明可應(yīng)用于其它植入構(gòu)件的面對(duì)骨頭的表面，在此預(yù)期的是骨組織應(yīng)通過(guò)骨組織的向內(nèi)生長(zhǎng)而聯(lián)結(jié)到構(gòu)件表面上，例如，包括髖關(guān)節(jié)假體的髖白構(gòu)件、膝關(guān)節(jié)假體的股骨構(gòu)件、膝關(guān)節(jié)假體的脛骨構(gòu)件、肩關(guān)節(jié)假體的肱骨構(gòu)件、肩關(guān)節(jié)假體的關(guān)節(jié)窩構(gòu)件、肘關(guān)節(jié)假體和踝關(guān)節(jié)假體的構(gòu)件、例如可用于骨折治療的諸如銷(xiāo)釘、釘子和桿(包括髓內(nèi)銷(xiāo)釘、釘子和桿)和板之類(lèi)的構(gòu)件，以及用于植入患者脊柱的諸如桿、板等的構(gòu)件。圖2示出了莖部基底10，該基底10具有形成在其表面上的螺旋狀槽，該表面限定了由槽14而分開(kāi)的多個(gè)峰部12。各峰部的頂部為圓化的，且半徑為50 μ m。各槽的底部為圓化的，且半徑為50 μ m。兩個(gè)相鄰槽之間的間距為200 μ m。各槽的深度均為80 μ m。聯(lián)結(jié)到莖部基底的骺部的表面上的鈦顆粒16為球形，且半徑為大約100 μ m。這些顆粒的尺寸形成為以便抵靠峰部12的圓化表面，且使得它們不能配合到峰部12之間的槽14中來(lái)接觸槽的底部。相繼的顆粒層可與抵靠峰部圓化表面的顆粒形成密集陣列。應(yīng)認(rèn)識(shí)到的是，如圖2中所示的顆粒在基底表面上的布置是示意性的?？赡艿氖?，基底表面上的峰部可能并不具有聯(lián)結(jié)至其上的顆粒。然而，將會(huì)理解的是，顆粒的尺寸和峰部以及它們之間的凹部的形狀使得顆粒不能配合到凹部中來(lái)在凹部底部處接觸基底的表面。植入裝置可具有施加到球形顆粒16的非球形顆粒的蓋層，例如，如在EP-A-1997524 中所公開(kāi)。圖3示出了其表面由多個(gè)峰部32所提供的基底30。各峰部均由凹槽形式的凹部所包繞。圖3中所示實(shí)施例中的凹槽的深度圍繞峰部的周界而變化。然而，構(gòu)想出的是，凹槽的深度可圍繞峰部為大致恒定的。顆?？陕?lián)結(jié)到基底30的表面上，以便它們接觸一個(gè)或多個(gè)峰部。適合尺寸的顆粒將抵靠峰部的圓化表面，且使得它們不能配合到峰部之間的凹槽中來(lái)接觸凹槽的底部。顆粒的尺寸將通常形成為以便它們接觸四個(gè)峰部的正方形陣列。
權(quán)利要求
1.一種醫(yī)用植入裝置，其包括具有起伏表面的基底，所述起伏表面由通過(guò)凹部而分開(kāi)的峰部所提供，其中，所述裝置包括提供在所述基底的起伏表面上的包括多個(gè)顆粒的多孔涂布層，其中，所述基底的表面上的相鄰峰部之間的間距小于所述顆粒的顆粒尺寸，以及其中，顆粒聯(lián)接到所述基底的表面上的峰部上且相鄰的顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述峰部在所述基底的表面上有規(guī)則地間隔開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述峰部包括凸脊，其中，各凸脊的長(zhǎng)度均大于其寬度，以及其中，所述凹部包括凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述凹部包括凹槽，以及其中，所述峰部由所述凹槽包繞。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述基底的表面由金屬提供，以及其中，所述顆粒由金屬形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述顆粒通過(guò)燒結(jié)工藝而聯(lián)結(jié)到所述基底的表面上和彼此上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述顆粒具有大致球形的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，相鄰峰部之間的所述凹部的底部為圓化的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，圓化的所述凹部的底部部分具有大致恒定的半徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述顆粒具有大致球形的形狀，以及其中，所述顆粒的直徑與所述凹部的半徑之比為至少大約1.1。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述峰部為圓化的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，圓化的所述峰部的部分具有大致恒定的半徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述峰部的半徑與聯(lián)結(jié)到所述峰部上的所述顆粒的尺寸之比不大于大約O. 7。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括蓋層，所述蓋層覆蓋所述涂布層且由多個(gè)蓋層顆粒所提供，其中，所述蓋層顆粒聯(lián)結(jié)到所述涂布層的顆粒上且所述蓋層的相鄰顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上，以及其中，所述涂布層的顆粒大致為球形且所述蓋層的顆粒為非球形。
15.一種制作醫(yī)用植入裝置的方法，其包括 a.形成基底，所述基底具有由凹部而分開(kāi)的峰部所提供的起伏表面， b.將顆粒層施加到所述基底的所述表面上，其中，所述基底的表面上的相鄰峰部之間的間距小于所述顆粒的顆粒尺寸，以及 c.(i)將顆粒聯(lián)結(jié)到所述基底的表面上的所述峰部上以及(ii)將相鄰的顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上。
全文摘要
一種醫(yī)用植入裝置包括基底(10)，基底(10)具有由凹部(14)而分開(kāi)的峰部(12)所提供的起伏表面。該裝置包括提供在基底的起伏表面上的包括多個(gè)顆粒(16)的多孔涂布層?；妆砻嫔系南噜彿宀恐g的間距小于顆粒的顆粒尺寸。顆粒聯(lián)結(jié)到基底表面上的峰部上且相鄰的顆粒聯(lián)結(jié)到彼此上。
文檔編號(hào)A61F2/30GK102639084SQ201080047953
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月22日
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