專(zhuān)利名稱(chēng)：一種鼓室成形術(shù)的硅膠片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及人工器官技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種鼓室成形術(shù)的硅膠片。
背景技術(shù)：
在慢性中耳炎鼓室成形術(shù)中，鼓膜修復(fù)組織易與鼓室內(nèi)壁發(fā)生粘連，尤其是骨岬、 咽鼓管鼓室開(kāi)口和骨峽等部位的粘膜若有潰瘍或缺失破損時(shí)，修復(fù)組織可與上述部位的創(chuàng) 面愈合，從而使新形成的鼓膜與鼓室發(fā)生部分或廣泛的粘連，導(dǎo)致以下不良結(jié)果(1)、鼓室氣腔廣泛閉鎖，生產(chǎn)鼓室不張(atelectasis)并發(fā)鼓室不張所可能發(fā)生 的不良后果，加上皮退縮性?xún)?nèi)陷袋形成，并繼發(fā)膽脂瘤。(2)、鼓室后部氣腔閉鎖，鼓室前部無(wú)鼓膜形成，造成咽鼓管口顯露和與外耳道溝 通，并在鼓環(huán)缺失或不全時(shí)使外耳道鱗狀上皮向咽鼓管內(nèi)生長(zhǎng)，發(fā)生下鼓室與咽鼓管內(nèi)膽 脂瘤。(3)、鼓峽閉鎖，發(fā)生松弛部或新鼓膜上部處的上皮退縮性?xún)?nèi)陷袋，繼之形成膽脂瘤。(4)、除了意外形成IV型小鼓室可有聽(tīng)力保存或提增外，聲傳導(dǎo)機(jī)制嚴(yán)重受損而 致聽(tīng)力下降。(5)、鼓室粘連可使向咽鼓管引流受阻，發(fā)生有炎癥相伴的活動(dòng)性粘連性中耳炎。目前，在鼓室成形術(shù)中廣泛采用植入鼓室硅膠片，它能有效地防止鼓室粘連的發(fā) 生，效果雖然不錯(cuò)，但也存在以下的問(wèn)題①目前廣泛使用的成形鼓室硅膠片，是一種全等厚的硅膠片，它會(huì)占據(jù)鼓室一定 的容積，使鼓室內(nèi)含氣量下降，鼓室含氣量下降過(guò)多，會(huì)造成傳聲效率下降。②吸鼻動(dòng)作可造成鼓室一時(shí)性負(fù)壓，有可能使鼓膜與鼓室硅膠片之間因空隙過(guò) 小，而使鼓膜與鼓室硅膠片緊貼，發(fā)生這種情況，會(huì)迫使鼓膜運(yùn)動(dòng)受阻，影響聽(tīng)力，捏鼻鼓氣 ?？膳R時(shí)解決這個(gè)問(wèn)題，但總是對(duì)病人不便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而設(shè)計(jì)的一種鼓室成形術(shù)的硅膠片，它在等 厚的硅膠片上設(shè)置了“V”形楔槽，不但可以增加鼓室內(nèi)的含氣量，而且有效地防止了鼓室粘 連的發(fā)生，大大提高了鼓室成形術(shù)效果。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的具體技術(shù)方案是一種鼓室成形術(shù)的硅膠片，包括呈勺形的全 等厚鼓室硅膠片，其特點(diǎn)是鼓室硅膠片上橫向設(shè)有“V”形楔槽，楔槽為等間距且平行設(shè)置在 整個(gè)鼓室硅膠片上。所述楔槽的槽深為鼓室硅膠片厚度的1/2，其槽寬與鼓室硅膠片的厚度相等。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作方便，有效地防止了鼓室粘連的發(fā)生， 極大地增加了鼓室含氣量，鼓室成形術(shù)效果大大提高。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意2為圖1的A-A示意圖
具體實(shí)施例方式參閱附圖1 附圖2，本發(fā)明的全等厚鼓室硅膠片1上橫向設(shè)有“V”形楔槽2，楔 槽2為等間距且平行設(shè)置在整個(gè)鼓室硅膠片1上。鼓室硅膠片1為1. Omm全等厚的生物相 容性硅膠，楔槽2的“V”形槽深為0. 5mm，其槽寬為1. 0mm，楔槽2的槽間距為0. 5mm，鼓室硅 膠片1呈勺形，并根據(jù)術(shù)中實(shí)際情況進(jìn)行修正。本發(fā)明是這樣使用的將鼓室硅膠片1設(shè)有“V”形楔槽2的一面朝向鼓膜內(nèi)側(cè)，以 使鼓室硅膠片1和鼓膜之間不是以面接觸，而是留有“V”形空槽。本發(fā)明比現(xiàn)有技術(shù)采用 的全等厚平面硅膠片有著更多的鼓室含氣量，盡管所增空氣量有限，但對(duì)于一個(gè)開(kāi)放式鼓 室成形術(shù)的低扁鼓室而言，是不可小覷的，尤其對(duì)提高鼓室成形術(shù)的效果有著積極地意義。以上只是對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，并非用以限制本專(zhuān)利，凡為本發(fā)明等效實(shí)施， 均應(yīng)包含于本專(zhuān)利的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種鼓室成形術(shù)的硅膠片，包括呈勺形的全等厚鼓室硅膠片，其特征在于鼓室硅膠片上橫向設(shè)有“V”形楔槽，楔槽為等間距且平行設(shè)置在整個(gè)鼓室硅膠片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述鼓室成形術(shù)的硅膠片，其特征在于所述楔槽的槽深為鼓室硅膠 片厚度的1/2，其槽寬與鼓室硅膠片的厚度相等。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種鼓室成形術(shù)的硅膠片，其特點(diǎn)是鼓室硅膠片上橫向設(shè)有“V”形楔槽，楔槽為等間距且平行設(shè)置在整個(gè)鼓室硅膠片上。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作方便，有效地防止了鼓室粘連的發(fā)生，極大地提高了鼓室成形術(shù)的效果。
文檔編號(hào)A61F2/18GK101884571SQ201010240308
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者李萍, 王正敏 申請(qǐng)人:王正敏;李萍