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一種軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法

文檔序號:1229771閱讀:188來源:國知局
專利名稱:一種軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法,尤其是鐵族元素 中對人體無害的軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法。
背景技術(shù)
納米磁耙向藥物載體是耙向治療的一種載體形式,粒徑一般至l-1000nm 之間,它借助于磁場使藥物載體聚集至靶部位,平穩(wěn)釋放藥物,提高靶部位 藥物釋放濃度,增強治療效果,減少藥物對其他部位的副作用。目前納米磁 靶向藥物載體的主要形式包括磁性脂質(zhì)體、磁性納米粒和碳鐵復(fù)合物。這三 類靶向藥物都是將磁核包覆于脂質(zhì)、高分子骨架材料,碳粉及藥物之中,不 利于磁性粒子作用的發(fā)揮。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種在靶向藥物顆粒外部包覆一層納米磁性膜的方法。
本發(fā)明可以通過以下措施達到
1、 將耙向藥物置于一與包覆容器、包覆物Fe(CO)5原料供給容器、真空 機組相連通的且?guī)Ъ訜崤c溫控裝置的密閉容器中。
2、 對靶向藥物加熱容器及包覆容器抽真空,并對靶向藥物加熱至其可承 受的溫度。
3、 打開連通閥門,將靶向藥物投入包覆容器的包覆床(篩網(wǎng))上,并 確認靶向藥物在該容器環(huán)境中溫度最高。
4、 關(guān)閉靶向藥物的加熱容器與包覆容器的閥門,打開原料供應(yīng)閥,液 態(tài)Fe(CO)5因遇包覆容器中的負壓而蒸發(fā)出來,遇經(jīng)過加熱的靶向藥物分解, 在藥物顆粒外表形成納米鐵包覆層。
本發(fā)明的優(yōu)點1、 可以克服所見報道(比如碳包鐵納米粒子)方法所制備的納米顆粒大, 易形成血栓或難以到達靶位的缺點,包覆鐵納米膜后的藥物顆粒不會使原顆
增加太大(<100nm)。
2、 免除了脂質(zhì)、高分子骨架、碳粉等過渡物質(zhì),降低了藥物污染的可能 性,減少了不必要的載體,使靶向藥物內(nèi)三元組分變成二元組分。
3、由于鐵納米膜包覆于靶向藥物之外,增大了藥物的磁性,使藥物更 易控且更易到達靶位。


圖1是實施本工藝方法發(fā)明所用設(shè)備的整體流程示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的設(shè)備包括真空機組1、靶向藥物加入口 2、靶向藥物加熱容器3、 加熱器4、耙向藥物控制閥門5、包覆容器6、包覆容器內(nèi)帶翻轉(zhuǎn)篩網(wǎng)(包覆 床)7、原料Fe (CO) 5控制閥門8、原料容器9、成品控制閥門10。
具體實施步驟為將待包覆的靶向藥物置入包覆容器3并封閉加料口 2; 向包覆原料Fe (CO) 5容器注入一定量Fe (CO) 5,封閉,并關(guān)閉閥門8; 開動真空機組1抽真空后關(guān)閉真空口;啟動加熱器4加熱至靶向藥物可承受 溫度停止加溫;打開閥門5將靶向藥物放入包覆容器6中的包覆床7上;打 開原料閥8開始包覆;包覆完畢后,在氮氣或惰性氣體保護下,打開成品控 制閥10,收取成品。
權(quán)利要求
1、一種軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法,其特征在于包括如下步驟A)將靶向藥物置于一與包覆容器、包覆物Fe(CO)5原料供給容器、真空機組相連通的且?guī)Ъ訜崤c溫控裝置的密閉容器中;B)對靶向藥物加熱容器及包覆容器抽真空,并對靶向藥物加熱至其可承受的溫度;C)將靶向藥物投入包覆容器的包覆床上,并確認靶向藥物在該容器環(huán)境中溫度最高;D)關(guān)閉靶向藥物的加熱容器與包覆容器的閥門,打開原料供應(yīng)閥,液態(tài)Fe(CO)5因遇包覆容器中的負壓而蒸發(fā)出來,遇經(jīng)過加熱的靶向藥物分解,在藥物顆粒外表形成納米鐵包覆層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種軟磁納米膜包覆靶向藥物顆粒的方法,先將靶向藥物置于一與包覆容器、包覆物Fe(CO)<sub>5</sub>原料供給容器、真空機組相連通的且?guī)Ъ訜崤c溫控裝置的密閉容器中;對靶向藥物加熱容器及包覆容器抽真空,并對靶向藥物加熱至其可承受的溫度;將靶向藥物投入包覆容器的包覆床上,并確認靶向藥物在該容器環(huán)境中溫度最高;關(guān)閉靶向藥物的加熱容器與包覆容器的閥門,打開原料供應(yīng)閥,液態(tài)Fe(CO)<sub>5</sub>因遇包覆容器中的負壓而蒸發(fā)出來,遇經(jīng)過加熱的靶向藥物分解,在藥物顆粒外表形成納米鐵包覆層。本發(fā)明包覆鐵納米膜后的藥物顆粒不會使原顆增加太大,免除了脂質(zhì)、高分子骨架,增大了藥物的磁性,使藥物更易控且更易到達靶位。
文檔編號A61K47/02GK101353784SQ200810156940
公開日2009年1月28日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者晢 高 申請人:晢 高
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