技術(shù)編號(hào)：9827188
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氧化物半導(dǎo)體近年已被廣泛研究，且已有應(yīng)用于顯示器相關(guān)產(chǎn)品。目前最常被提出的氧化物半導(dǎo)體材料以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為主流，文獻(xiàn)亦有其他基于離子鍵結(jié)的氧化物半導(dǎo)體發(fā)表，以有別于利用共價(jià)鍵結(jié)的硅基半導(dǎo)體。由于此種材料來源為稀有金屬，僅用于有源層的成本極高，需要新穎的制程方法和結(jié)構(gòu)，增加氧化物半導(dǎo)體的應(yīng)用面，以降低成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種顯示面板的制作方法，包括提供一基板，包括一有源區(qū)和一像素區(qū)；形成一第一金屬層于基板上;形成一柵極介電層于第一金屬層上;形...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。