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技術(shù)編號：9769739

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SiC是第三代寬帶隙半導體材料之一，相對于常見Si和GaAs等半導體材料，SiC在帶隙、介質(zhì)擊穿電壓、電子飽和速率、導熱率等方面具有優(yōu)良的性能。因此，SiC有望成為超越Si極限的下一代能源器件和高溫器件材料，伴隨于此，廣泛進行著襯底材料的發(fā)展。特別是在極端條件和惡劣條件下應用時，SiC器件的特性遠遠超過了 Si器件和GaAs器件。在光電子領域，也較相對傳統(tǒng)襯底材料Si與藍寶石優(yōu)越很多。碳化硅生長方式有PVT(物理氣相沉積)法、CVD(化學氣相沉積)法等，大...
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