技術編號：9703585
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 作為III族氮化物晶體的制造裝置，可以考慮以III族氧化物作為原料的制造方 法（例如專利文獻1)。 對該制造方法的反應體系進行說明。加熱Ga203，在該狀態(tài)下，導入氫氣。被導入 的氫氣與Ga203反應，生成Ga20氣體（下述式（I))。使所生成的Ga20氣體與氨氣反應，在 種基板上生成GaN晶體（下述式（II))。 Ga203+2H2- Ga 2〇+2H20 (I) Ga20+2NH3-2GaN+H 20+2H2 (II) 現有技術文獻 專利文獻 專利文...
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