技術編號：9649926
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施方案是化學機械拋光(CMP)的領域，特別是低密度拋光墊，和制造低密度拋光墊的方法。背景化學機械平坦化或化學機械拋光，通?？s寫為CMP，為在半導體制造中用于將半導體晶片或其它基質(zhì)平坦化的技術。方法涉及使用研磨劑和腐蝕性化學品淤漿(通常膠體)與通常具有比晶片更大直徑的拋光墊和扣環(huán)。通過動態(tài)拋光頭將拋光墊和晶片擠壓在一起并通過塑料扣環(huán)保持在一定位置。動態(tài)拋光頭在拋光期間旋轉(zhuǎn)。該路線幫助除去材料并傾向于使任何不規(guī)則形貌平坦，使得晶片為平或平面的。這可能是...
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