技術編號：9549574
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。高電子遷移率晶體管HEMT (High Electron Mobility Transistor)是一種異質結場效應晶體管，又稱為調制摻雜場效應晶體管(M0DFET)、二維電子氣場效應晶體管(2-DEGFET)、選擇摻雜異質結晶體管(SDHT)等。這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻(毫米波)、超高速領域，原因就在于它是利用具有很高迀移率的所謂二維電子氣來工作的。HEMT的基本結構就是一個調制摻雜異質結。高迀移率的二維電子氣(2-DEG)存在于調制摻雜的...
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