技術編號：9522923
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。已知有對上下的 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)施加一次 10 微秒左右的壽命測量脈沖而使之產生短路電流，從而檢測焊料接合部的劣化的技術(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1日本特開2009-19953號公報然而，實際上，在施加一次10 μ s左右的壽命測量脈沖所產生的短路電流中，發(fā)現(xiàn)IGBT的發(fā)熱量不足，無法高精度檢測焊料接合部的劣化。發(fā)明內容本公開的目的在于提供能夠輸出高精度地表示與開關元件接合的焊料的劣化狀...
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