技術(shù)編號：9472828

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體器件的集成度不斷增加，半導(dǎo)體器件特征尺寸 (Critical Dimension，CD)越來越小。 而隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的逐漸減小，互連結(jié)構(gòu)之間寄生電容等原因而產(chǎn)生的 RC延遲（RCdelay)對半導(dǎo)體器件的影響越來越大。降低互連結(jié)構(gòu)中介質(zhì)層材料的K值是有 效降低RC延遲效應(yīng)的方法。近年來，在半導(dǎo)體器件的后段制備工藝（Back End of The Line， BEOL)中，低K介電常數(shù)（Low K，LK)材料（K <...
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