技術(shù)編號：9454550
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在美國專利公開號2010/0226195的發(fā)明中，提出一具有與實際的陣列分離的Z方 向（或深度方向）譯碼功能的三維存儲陣列。一例中，一字線（WL型結(jié)構(gòu)僅電性連接位于 三維存儲陣列同一階層的晶體管的柵極，而不電性連接位于三維存儲陣列不同階層的晶體 管的柵極。另一例中，位于三維存儲陣列同一階層的NAND串行的一端是彼此電性連接，而 位于三維存儲陣列不同階層的NAND串行的一端彼此電性不連接。這些例子中，皆不執(zhí)行對 于三維存儲陣列的階層的譯碼。取而代之地，實際...
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