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光電子半導(dǎo)體芯片及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9402157

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本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法和一種根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體芯片。背景技術(shù)已知的是氮化物半導(dǎo)體芯片、例如光電子氮化物半導(dǎo)體芯片因極其小的靜電放電(ESD)就已經(jīng)會(huì)永久地?fù)p壞或破壞。如果在制造這種半導(dǎo)體芯片時(shí)使用具有藍(lán)寶石的襯底,那么在氮化物半導(dǎo)體層序列外延生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生具有高位錯(cuò)密度的晶體。這種位錯(cuò)引起漏電路徑,在ESD負(fù)荷的情況下漏電流經(jīng)由所述漏電路徑流動(dòng),這會(huì)導(dǎo)致氮化物半導(dǎo)體芯片的損壞或破壞。為了避免因靜電放電引起...
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