技術(shù)編號(hào):9402157
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法和一種根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體芯片。背景技術(shù)已知的是氮化物半導(dǎo)體芯片、例如光電子氮化物半導(dǎo)體芯片因極其小的靜電放電(ESD)就已經(jīng)會(huì)永久地?fù)p壞或破壞。如果在制造這種半導(dǎo)體芯片時(shí)使用具有藍(lán)寶石的襯底,那么在氮化物半導(dǎo)體層序列外延生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生具有高位錯(cuò)密度的晶體。這種位錯(cuò)引起漏電路徑,在ESD負(fù)荷的情況下漏電流經(jīng)由所述漏電路徑流動(dòng),這會(huì)導(dǎo)致氮化物半導(dǎo)體芯片的損壞或破壞。為了避免因靜電放電引起...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。