技術編號：9398161

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集成電路(Integrated Circuit,簡稱IC)技術遵循“Moore定律”的發(fā)展進入了納米尺度，來自短溝道效應、寄生效應以及量子隧穿等問題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)的微電子器件技術越來越難以滿足IC技術持續(xù)發(fā)展的要求，特別是日益嚴重的功耗問題，已經成為延續(xù)“Moore定律”的最大瓶頸。隧穿場效應晶體管(TunnelingField Effect Transistor,簡稱 TFET)米用帶帶隧穿物理機制，使其亞閾擺幅不受傳統(tǒng)MOSFET亞閾擺幅極限值KT/q...
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