技術(shù)編號(hào)：9378062
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。傳統(tǒng)的0.18微米邏輯1.8V/3.3V絕緣體上硅(SOI)工藝，后段工藝通常采用0.18微米邏輯工藝。但發(fā)明人經(jīng)實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)，該后段工藝會(huì)產(chǎn)生大量可動(dòng)離子，這些可動(dòng)離子沿金屬引線、通孔(Via)、及金屬之間的薄膜傳導(dǎo)下去，聚集在S1-S12界面、多晶硅(Poly)邊緣等處，影響界面態(tài)。對(duì)于普通體硅工藝，這些可動(dòng)離子可以從襯底泄放出去，因此該聚集的表現(xiàn)并不明顯。但對(duì)于SOI工藝，由于埋層氧化的存在，可動(dòng)離子沒法泄放出去，因此對(duì)器件的影響較明顯，容易造成柵氧...
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