技術編號：9300987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 由方向性固化作用所形成的多晶娃（multi-crystalline silicon，mc_Si)由于其 低生產成本與高產量因而非常吸引光伏產業(yè)。然而，由于雜質累積與差排（dislocation) 的產生（增加），隨著鑄錠（ingot)成長越來越高，結晶品質退化。由于這些缺陷，再加上晶 體性質受到晶粒外型與晶格位向影響，因而在晶體成長過程中，晶粒結構的控制是很重要 的。 不同于隨機晶界，通過特定錯向（misorientation)以及良好選擇的大量面積 定...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。