技術(shù)編號(hào)：9236670
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路制造過(guò)程中，對(duì)覆蓋于半導(dǎo)體襯底表面的光刻膠(PRPhoto Resist)進(jìn)行曝光顯影，形成圖形化的光刻膠層，然后再采用刻蝕技術(shù)將光刻膠層中的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底上，從而形成集成電路結(jié)構(gòu)。通常的，半導(dǎo)體襯底各區(qū)域的圖形密度不同，半導(dǎo)體襯底包括圖形密集區(qū)(DenseArea)以及圖形稀疏區(qū)(ISO Area)。形成具有不同圖形密度的半導(dǎo)體襯底的工藝步驟包括在半導(dǎo)體襯底表面形成圖形化的光刻膠層，相對(duì)而言，圖形密集區(qū)的光刻膠層的圖形密度較大，而圖形稀疏區(qū)...
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