技術(shù)編號：9208328
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及極紫外(Extreme Ultrav1let，EUV)光刻光源收集鏡的刀架加工技術(shù)。技術(shù)背景以光刻寬度處于10nm以下的光刻技術(shù)，稱為極紫外光刻技術(shù)。其中，實現(xiàn)22nm?45nm的刻線，已經(jīng)作為了我國極紫外光刻光源到2020年的發(fā)展目標(biāo)。目前國際上實現(xiàn)這一目標(biāo)主要有激光等離子體(LPP)和放電等離子體(DPP)極紫外光刻光源兩種，此兩種方案通過Xe或Sn介質(zhì)產(chǎn)生高溫高密度等離子體實現(xiàn)13.5nm(2%帶寬)輻射光輸出。DPP光源主要由毛細管放電、...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。