技術(shù)編號：9201807
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。非揮發(fā)性存儲器具有在無電源供應(yīng)時(shí)器件所存儲的邏輯數(shù)據(jù)仍能長時(shí)間保存的優(yōu)點(diǎn)，是數(shù)字化信息技術(shù)中最為重要的硬件之一，備受學(xué)者和企業(yè)的關(guān)注。目前，市場上主流的非揮發(fā)性存儲器是基于電荷存儲機(jī)制的閃存(Flashmemory)，非揮發(fā)性閃存存儲原理是通過對浮柵層進(jìn)行熱電子注入和釋放使得溝道層電子濃度發(fā)生改變而進(jìn)行非揮發(fā)性存儲。然而，這種熱電子注入和釋放方式需要對柵極和溝道層施加高電壓，會破壞絕緣層的絕緣程度。因此，閃存的擦寫次數(shù)有限制，擦寫速度慢，擦寫到達(dá)一定次數(shù)后...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。