技術(shù)編號(hào)：9187859
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。垂直移位寄存器通常設(shè)置在薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)的面板邊框內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)中的垂直移位寄存器通常都包括由第I級(jí)移位寄存器單元到第N級(jí)移位寄存器單元依次級(jí)聯(lián)組成的共N級(jí)移位寄存器單元(N為多I的正整數(shù))，由于其電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因而體積較大，通常會(huì)占據(jù)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器的面板邊框內(nèi)很大一部分空間，因此要實(shí)現(xiàn)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器的窄邊框設(shè)計(jì)，就必須簡(jiǎn)化垂直移位寄存器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種柵極驅(qū)動(dòng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。