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一種直拉單晶爐揮發(fā)物清掃裝置的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9037550

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目前,半導(dǎo)體及太陽(yáng)能行業(yè)所用硅單晶的主要生長(zhǎng)方法是直拉法,此方法用到的設(shè)備是單晶爐。把固態(tài)塊狀的多晶硅裝入到單晶爐中的石英坩禍中,用單晶爐中的石墨加熱器對(duì)多晶硅進(jìn)行加熱熔化,爐內(nèi)溫度高達(dá)1500 0C,熔化后經(jīng)過(guò)引晶、放肩、等徑、收尾、停爐等過(guò)程拉制出單晶硅棒,整個(gè)過(guò)程需要40-60小時(shí),整個(gè)過(guò)程熔硅中的硅的氧化物、各種摻雜劑的氧化物等持續(xù)的揮發(fā)出來(lái),沉積到單晶爐的爐壁及石墨熱場(chǎng)的各個(gè)部件之上,拉晶結(jié)束后需要對(duì)單晶爐的各部件進(jìn)行清掃,以便進(jìn)行下一爐次的生長(zhǎng)...
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