技術編號：9028177
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體制造領域，晶片的厚度越來越薄。例如絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor，IGBT)技術發(fā)展已超過20年，從PT、NPT發(fā)展到最新的FS工藝，在改善IGBT的開關性能和通態(tài)壓降等性能上取得了長足的進步，在新一輪國內IGBT研發(fā)熱潮來臨前夕，仍存在兩大工藝難點，包括薄片工藝和背面工藝。其中薄片工藝，特定耐壓指標的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200 μ m以下，甚至到60 μπι，當IGBT...
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