技術(shù)編號:8924941
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在集成電路設(shè)計中,由于工藝的限制或者出于成本的考慮,需要將VDD耐壓的CMOS器件工作于2倍VDD電壓電路,在保證電路性能的同時還需要保證MOS管不會超過耐壓值VDD。附圖1是一種VDD耐壓的CMOS器件工作于2倍VDD電壓電路的反相器電路;具體電路形式包含輸出級和電平轉(zhuǎn)換級兩個部分;輸出級(a)由3個NMOS管和3個PMOS管構(gòu)成,NMOS管Ml的源極連接到地,柵極連接電平轉(zhuǎn)換級的輸出IN2,漏極連接到PMOS管M2的源極和NMOS管M3的源極;PM0S...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。