技術(shù)編號(hào)：87351
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有垂直分裂柵(split gate)結(jié)構(gòu)的閃存裝置及其制造方法。 背景技術(shù)閃存是一種可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)，其中數(shù)據(jù)可以被電重寫。 由于存儲(chǔ)的信息在斷電時(shí)被保留，所以這種閃存被稱為非易失性存儲(chǔ)器。在此方面，這種閃存與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)不同。 根據(jù)單元陣列結(jié)構(gòu)，閃存可以被劃分為NOR型結(jié)構(gòu)和NAND型結(jié)構(gòu)，其中NOR型結(jié)構(gòu)的單元在位線(bit line)和地線(ground)之間是并聯(lián)排列的，而NA...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。