技術(shù)編號(hào):8715844
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。對(duì)于通常用在電力電子系統(tǒng)和電源管理中的半導(dǎo)體器件而言,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor),或絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,被廣泛引入。溝槽型功率MOSFET是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件,它采用溝槽型柵極結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管,它不僅繼承了 MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(多108Ω)、驅(qū)動(dòng)電流小(0.1yA左右)的優(yōu)點(diǎn),還具有耐壓高、工作電流大、...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。