技術(shù)編號(hào)：8471465
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。采用硅通孔(TSV)技術(shù)的3D集成方法能提高器件的數(shù)據(jù)交換速度、減少功耗以及提高輸入/輸出端密度等方面的性能。存儲(chǔ)器件的制造商采用同系列芯片的TSV集成技術(shù)來生產(chǎn)芯片堆疊型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器件(DRAM)，可提高單位電路板面積/體積上的器件存儲(chǔ)容量。這種方法能減少存儲(chǔ)器芯片和處理器芯片間信號(hào)傳輸?shù)难舆t并能增加帶寬。對(duì)不同系列芯片進(jìn)行集成的主要應(yīng)用是移動(dòng)設(shè)備中的圖像傳感器和通信芯片。采用TSV技術(shù)也可以提高器件的良率，因?yàn)榇蟪叽缧酒梢苑指顬閹讉€(gè)功能模塊的芯片...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。