技術(shù)編號(hào)：8432168
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。根據(jù)應(yīng)用設(shè)備的尺寸和容量近來變大的趨勢，對具有高擊穿電壓、高電流和高速開關(guān)特性的電力用半導(dǎo)體裝置的需求持續(xù)增加。在半導(dǎo)體裝置當(dāng)中，碳化硅(SiC)半導(dǎo)體裝置可具有優(yōu)點(diǎn)。例如，由于碳化硅半導(dǎo)體裝置比常規(guī)的硅(Si)半導(dǎo)體裝置具有更寬的帶隙，因此可在升高的溫度更穩(wěn)定地實(shí)施半導(dǎo)體特性。然而，在升高的溫度可能額外地需要穩(wěn)定地應(yīng)用包裝材料，以獲得相當(dāng)高溫的操作效果。特別地，由于用于接合半導(dǎo)體裝置的常規(guī)焊料具有小于約230°C的熔融溫度，所以焊料無法在可應(yīng)用和操作碳化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。