技術(shù)編號：8417652

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本發(fā)明涉及通過將至少一個(gè)層轉(zhuǎn)移到最終基板上而形成的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或晶 片（wafer)(也稱為復(fù)合結(jié)構(gòu)）的制造的領(lǐng)域。通過將第一晶片（或初始基板）鍵合（bond) (例如通過分子粘附）到第二晶片（或最終基板）上來獲得這種層轉(zhuǎn)移，所述第一晶片通常 在鍵合之后被薄化。轉(zhuǎn)移后的層還可以包括組件或多個(gè)微組件（micro-component)的全部 或一部分。 更準(zhǔn)確地，本發(fā)明涉及可能在通過分子粘附鍵合的兩個(gè)晶片之間的鍵合界面處以 局部的方式出現(xiàn)鍵合缺陷的問題。 ...
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