技術(shù)編號(hào)：8382077
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種SRAM中的存儲(chǔ)單元的檢測方法。背景技術(shù)隨著集成電路集成度的提高以及電源電壓的降低，構(gòu)成集成電路的半導(dǎo)體器件的幾何尺寸不斷縮減，這就要求不斷改進(jìn)芯片的制造工藝。制造工藝的改進(jìn)對(duì)單個(gè)半導(dǎo)體器件的性能影響很大，為評(píng)估半導(dǎo)體器件的性能，通常需要對(duì)半導(dǎo)體器件的可靠性進(jìn)行測試。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM, Static Random Access Memory)中存在大量由兩反相器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，每個(gè)反相器包括一對(duì)上拉PMOS管與下拉N...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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