技術(shù)編號(hào)：8328787
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。由于碳化硅特殊的化學(xué)和物理性質(zhì)，其外延工藝要求反應(yīng)室必須處在一種密閉、無氧、無氮的特殊環(huán)境中，在碳化硅外延生長過程中，會(huì)不斷產(chǎn)生出現(xiàn)細(xì)小的顆粒，這些細(xì)小顆粒沉積在反應(yīng)室腔體底部，如果這些細(xì)小的顆粒的不能及時(shí)有效的清除掉，就會(huì)在密閉的腔體內(nèi)不斷積聚，細(xì)小顆粒的大量極具將影響下一周期的碳化硅晶片外延生長，導(dǎo)致碳化硅晶片缺陷的增加。雖然目前的碳化硅外延生長反應(yīng)室具有有一定的自凈化能力，但是而且其凈化所花費(fèi)的時(shí)間過于漫長，對細(xì)小顆粒的清理效率低，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足碳化硅...
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