技術(shù)編號：8320876

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現(xiàn)有技術(shù)的量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計基本為量子皇和量子阱交替結(jié)構(gòu)，其中量子皇的材料組分禁帶寬度大于量子阱的材料組分禁帶寬度，電子和空穴在外加電場的作用下通過皇層到達(dá)阱層的時候發(fā)生復(fù)合發(fā)光。傳統(tǒng)的量子阱結(jié)構(gòu)中量子阱是由l_3nm厚的InGaN材料組成，In組分濃度決定了發(fā)光器件的波長，量子皇則是由6nm-15nm的GaN材料組成，量子阱可以俘獲載流子而提升發(fā)光的效率。由于InGaN和GaN材料的晶格適配誘發(fā)的極化電場存在，導(dǎo)致量子阱結(jié)構(gòu)能帶發(fā)生傾斜而增加了價帶載流子的勢...
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