技術(shù)編號：8283839
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著微電子技術(shù)的不斷進步，集成電路的特征尺寸不斷縮小，互連密度不斷提高。同時用戶對高性能低耗電的要求不斷提高。在這種情況下，靠進一步縮小互連線的線寬來提高性能的方式受到材料物理特性和設備工藝的限制，二維互連線的電阻電容(RC)延遲逐漸成為限制半導體芯片性能提高的瓶頸。硅穿孔(Through Silicon Via，簡稱TSV)工藝通過結(jié)合在晶圓中形成金屬立柱，并配以金屬凸點，可以實現(xiàn)晶圓(芯片)之間或芯片與基板間直接的三維互連，這樣可以彌補傳統(tǒng)半導體芯片二...
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