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Xe介質(zhì)毛細(xì)管放電檢測(cè)用極紫外光源的光學(xué)收集系統(tǒng)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8256600

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為了實(shí)現(xiàn)我國(guó)超大規(guī)模集成電路的跨越式發(fā)展,國(guó)家將2020年實(shí)現(xiàn)45nm?22nm 刻線作為我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃,并由此制定了國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)。過 去的幾十年,微電子產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,集成電路最小特征尺寸決定了一個(gè)晶片上所能集成的 晶體管數(shù)量,也決定了集成電路運(yùn)行速度和存儲(chǔ)容量。光刻技術(shù)作為集成電路的技術(shù)基礎(chǔ), 是決定集成電路發(fā)展速度的一個(gè)重要因素。光刻機(jī)分辨率的物理極限R決定了集成電路 的最小特征尺寸,光刻機(jī)分辨率的物理極限R決定了集成電路...
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