技術(shù)編號：8248158
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。四元系A(chǔ)lGaInP是一種具有直接寬帶隙的半導(dǎo)體材料，已廣泛應(yīng)用于多種光電子器件的制備。由于材料發(fā)光波段可以覆蓋可見光的紅光到黃綠波段，由此制成的可見光發(fā)光二極管受到廣泛關(guān)注。傳統(tǒng)的垂直結(jié)構(gòu)AlGaInP發(fā)光二極管借助厚的P-GaP電流擴(kuò)展層進(jìn)行橫向擴(kuò)展后將電流注入發(fā)光區(qū)，但由于P-GaP電流擴(kuò)展能力有限，電極下方附近區(qū)域電流密度較高，離電極較遠(yuǎn)的區(qū)域電流密度較低，導(dǎo)致整體的電流注入效率偏低，從而降低了發(fā)光二極管的出光效率。高亮度反極性AlGaInP芯片采...
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