技術(shù)編號：8224960
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。GaN基發(fā)光二極管在日常生活中被廣泛的應(yīng)用，與傳統(tǒng)光源相比，LED具有壽命長，光效高，能耗低，體積小的優(yōu)良特性，是現(xiàn)代照明發(fā)展的一個重要趨勢。傳統(tǒng)GaN基LED的發(fā)光層普遍使用InGaN/GaN多量子講(Multiple QuantumWells，簡稱MQW)結(jié)構(gòu)，一方面由于電子的迀移率較空穴快，且自由電子的濃度較自由空穴的濃度高，容易導(dǎo)致MQW中的電子和空穴分布不均勻，電子集中距η型較近的MQW層中，而空穴集中在距P型層較近的MQW中，往η型方向逐漸衰減...
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