技術(shù)編號(hào)：8144630
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬金剛石單晶材料及其制備方法的技術(shù)領(lǐng)域，涉及等離子體化學(xué)氣相沉 積高速生長(zhǎng)金剛石單晶的方法。背景技術(shù)20世紀(jì)80年代以來，國(guó)際上開始利用化學(xué)氣相沉積(Chemical VaporDeposition-CVD)方法制備金剛石薄膜。該方法因其成本低、可大面積沉積多晶金剛石膜 等特點(diǎn)得到迅速發(fā)展，并在技術(shù)上已經(jīng)成熟。但由于多晶膜中存在大量的晶界和缺陷， 無法滿足金剛石在電子器件等方面的要求；而同質(zhì)外延方法生長(zhǎng)單晶金剛石的生長(zhǎng)速率 又較低(一般小于5-10微米/小時(shí))，生長(zhǎng)厚度為毫米級(jí)的金剛石單晶膜需要連續(xù)生...
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