技術(shù)編號：8136126
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是垂直溫度梯度法(VGF)或垂直布里奇曼法(VB)生長GaAs單晶時原料的腐蝕設(shè)備。背景技術(shù)III-V族化合物半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體材料的重要組成部分，其中GaAs作為發(fā)展超 高速集成電路，微波單片電路，光電子器件及其光電集成的基礎(chǔ)材料受到了廣泛的重視。尤 其是垂直溫度梯度法(VGF)或垂直布里奇曼法(VB)能生長大直徑、低位錯、低熱應(yīng)力、高質(zhì) 量的GaAs單晶，其應(yīng)用前景非常廣泛，可用于制造LED，LD, GaAs IC0然而，由于垂直溫度梯度法(VGF)或垂直布里奇曼法(V...
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