技術編號：8065881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要本發(fā)明的目的在于單晶硅生長的過程中的爐內(nèi)碳零件的劣化的防止、生長結晶中的碳濃度降低、以及單晶的多晶化比例的改善。再者，系為解決爐開放時，水分會吸附于爐內(nèi)零件、燒結金屬材料、或半導體結晶原料所致的爐的隨時間變化或結晶的差排等問題。本發(fā)明的技術手段系包含真空抽取步驟，將填充有燒結金屬的原料的模板，或是填充有砷化鎵結晶以及用以進行半導體結晶生長的原料的坩堝的開口，以設有供應管及真空排氣管的蓋子予以閉合，該半導體結晶生長系為單晶硅或多晶硅的半導體結晶生長，且藉由該真空排氣管將該模板或該坩堝的內(nèi)部真空抽取成為10-4...
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