技術(shù)編號(hào)：8064817
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種硅材料，具體地說是一種把非晶硅定向生長(zhǎng)成多晶硅的方法。背景技術(shù) 目前，制備多晶硅薄膜技術(shù)按照生長(zhǎng)環(huán)境主要分為以下幾種，即預(yù)沉積法(as-deposited)，固相晶化法(SPC)，金屬誘導(dǎo)法(MIC)，脈沖快速熱燒結(jié)法(PRTA)和準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)。預(yù)沉積法通常是由低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)設(shè)備直接生長(zhǎng)。在約630℃高溫下，SiH4發(fā)生熱分解淀積成多晶硅。固相晶化法是把已淀積的非晶硅薄膜放在650℃左右的環(huán)境溫度下，通過較長(zhǎng)時(shí)間的熱退火，通常在10小時(shí)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。