技術(shù)編號(hào)：8063359
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種提高單晶硅晶棒中氧含量的裝置。 背景技術(shù)硅單晶晶棒的質(zhì)量是否合格的一個(gè)重要衡量指標(biāo)是晶棒中的氧含量及氧濃度分布。現(xiàn)有技術(shù)中，單晶硅晶棒的拉制過程中，為控制單晶頭尾電阻率，提高單晶良率，摻雜具有揮發(fā)性的As、Sb摻質(zhì)長晶熱場將往封閉式熱場方向發(fā)展。而封閉式的熱場設(shè)計(jì)，使得晶棒中的氧含量降低。氧含量降低的一個(gè)原因是，在長晶的過程中，晶棒中的絕大部分氧是通過石英坩堝的分解所提供，熔融的硅與石英坩堝接觸而使石英坩堝受熱產(chǎn)生部分分解。隨著晶棒的不斷長長，石英坩堝中的硅熔湯逐步減少。硅熔湯減少后，與石...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。