技術(shù)編號(hào)：8060717
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及利用有機(jī)金屬氣相生長法在半導(dǎo)體襯底上形成化合物半導(dǎo)體層的外延生長方法以及外延生長用襯底，特別涉及改善化合物半導(dǎo)體層的表面形態(tài)的技術(shù)。背景技術(shù) 從前，在發(fā)光元件以及受光元件等的半導(dǎo)體元件的用途中，廣泛使用使InGaAs層、AlGaAs層、InAlAs層、InAlGaAs層、InGaAsP層等的3元體系或4元體系的III-V族化合物半導(dǎo)體層、和InP層依次外延生長在InP襯底上的半導(dǎo)體晶片。該半導(dǎo)體晶片的外延層，例如由有機(jī)金屬氣相生長法(以下稱為MOCVD法)形成。但是，在利用MOCVD法使上述的II...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。