技術(shù)編號(hào):8051404
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及等離子體處理裝置及其處理氣體供給結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)歷來(lái),在半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域等中,作為在半導(dǎo)體晶片等的基板上進(jìn)行成膜處理或者蝕刻處理等的處理的裝置,已知使用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)的等離子體處理裝置。作為使用ICP的等離子體處理裝置的處理氣體供給結(jié)構(gòu),已知在處理腔室的上部設(shè)置有高頻線圈的等離子體處理裝置中,例如在基板的周圍的、在高頻線圈與基板之間的空間內(nèi)設(shè)置由環(huán)狀的中空管組成的處理氣體供給機(jī)構(gòu),從在中空管的內(nèi)側(cè)設(shè)置的多個(gè)氣體吹出ロ向基板上部的空間噴出處理氣體的方式(例如參照專利文獻(xiàn)1)。另外,已...
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