技術(shù)編號：8040035
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及直拉硅單晶。背景技術(shù) 超大規(guī)模集成電路正向特征線寬逐漸變小，硅晶片直徑逐漸增大的方向發(fā)展。隨著集成電路特征線寬的變小，硅單晶材料中的微觀缺陷問題更加突出，如200毫米直徑硅材料中出現(xiàn)的空洞缺陷，尺寸在100～300納米，對0.1微米集成電路已形成致命的影響。實(shí)際上，當(dāng)單個(gè)缺陷的尺寸達(dá)到最小特征線寬的二分之一或三分之一時(shí)，將導(dǎo)致集成電路線路的失效。目前超大規(guī)模集成電路用直拉硅單晶含有濃度為1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或銻的電活性雜質(zhì)，該材料原生缺陷主要表現(xiàn)為COP(crystalo...
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