技術(shù)編號：8033830
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及具有低的位錯(cuò)密度、制造便宜的第III族氮化物晶體襯底，制造這種襯底的方法，及結(jié)合有第III族氮化物晶體襯底的第III族氮化物半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 為了能夠用作包括半導(dǎo)體激光器和LED(發(fā)光二極管)的半導(dǎo)體電子和光電子器件的襯底，最近幾年來正在追求大尺寸和低位錯(cuò)密度的第III族氮化物晶體襯底。對于制造第III族氮化物晶體襯底，氣相技術(shù)可以使晶體生長速度達(dá)到100μm/小時(shí)或更快；且在氣相技術(shù)中，氫化物氣相取向附生(下文中稱為HVPE)是用于快速晶體生長的強(qiáng)大工具。(參見例如Isamu Akasaki...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。