技術(shù)編號：8019643
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及用于生長單晶半導(dǎo)體材料的拉晶機(jī)，并且更特別地涉及供這樣的拉晶機(jī)用的熱屏蔽裝置。單晶半導(dǎo)體材料是制作許多電子部件的原料，其通常采用Czochralski(“Cz”)方法制造。在該方法中，將多晶半導(dǎo)體原材料如多晶體的硅(“多晶硅”)在坩堝中熔化。然后將一籽晶降下到熔融材料中并慢慢升起以生長一單晶棒，在使棒生長時(shí)，通過降低拉出率和/或熔化溫度形成上端圓錐體，借此加大棒的直徑，直到達(dá)到一目標(biāo)直徑為止。一旦達(dá)到了目標(biāo)直徑，便通過控制拉出率和熔化溫度來形成棒的圓柱形主體以補(bǔ)償降低的熔化程度。在接近生長過程結(jié)束...
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