技術(shù)編號：8006633
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶體生長領(lǐng)域，特別涉及砷化鎵單晶的生長方法。背景技術(shù)砷化鎵(GaAs)是化合物半導(dǎo)體中最重要、用途最廣泛的半導(dǎo)體材料之一，也是目前研究得最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導(dǎo)體材料。由于砷化鎵具有電子遷移率高(是硅的5 6倍)、禁帶寬度大(它為1.43eV，硅為I. IeV)且為直接帶隙的特點，容易制成半絕緣材料、本征載流子濃度低、光電特性好，還具有耐熱、抗輻射性強及對磁場敏感等優(yōu)良特性。用砷化鎵材料制作的器件頻率響應(yīng)好、速度快、工作溫度高，能滿足集成光電子的需要。它是目前最重要的光電子材料，也是繼硅材料...
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