技術編號：77308
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及半導體材料器件的檢測技術，具體是指一種GaN基光伏探測器器件結構中電子學分布特征的測量分析方法。背景技術GaN基紫外探測器在航空及航天跟蹤與控制、導彈制導與預警、醫(yī)療衛(wèi)生與生物工程、環(huán)境監(jiān)測與預報等領域都有重要應用。其中，以p-n結和p-1-n結為代表的結型光伏探測器結構由于具有響應速度快、低噪聲等優(yōu)點逐漸成為GaN基探測器的主流器件結構，尤其在紫外焦平面器件中被廣泛采用。在決定GaN基光電探測器工藝效果和器件性能的因素中，GaN及AlGaN功能材料的電子學特性如實際結電場分布、表面態(tài)密度、缺陷和...
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