技術(shù)編號：7531813

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本發(fā)明涉及一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路，且更具體地說，是涉及采用不對稱邏輯電路的CMOS電路中的快速傳播技術(shù)。一般的CMOS倒相器包括一個(gè)P溝道(PMOS)拉起晶體管和一個(gè)N溝道(NMOS)拉下晶體管。由于PMOS本身比NMOS弱，PMOS拉起晶體管的大小(即溝道寬度)通常比NMOS拉下晶體管的大小大1.5倍，以減小信號通過級聯(lián)的倒相器級對的傳播時(shí)間。CMOS門電路的信號傳播延遲時(shí)間，隨著該門電路的輸出能力F而線性地增大。一個(gè)給定級的輸出...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。

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