技術(shù)編號：7526399
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種偏置控制裝置，適用于例如在衛(wèi)星基站所使用的使用 了FET的功率放大裝置。背景技術(shù)在衛(wèi)星基站中，使用將調(diào)制信號放大到發(fā)送功率的功率放大裝置。在 該功率放大裝置使用多個FET (Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)的 情況下，要求各FET的偏置電壓的調(diào)整。并且，為了調(diào)整偏置電壓，考慮 各FET的溫度特性而對每個FET進行偏置電壓調(diào)整是必要、不可缺少的。但是，上述FET中，作為半導(dǎo)體材料使用氮化鎵(GaN)或砷化鎵 (GaA...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。